1nm 工艺下金属互联新方法，芯片过热问题有望得到解决
7 月 12 日消息，比利时微电子研究中心（IMEC）开发了采用 1nm 工艺技术构建硅芯片过程中使金属互连的新方法，解决了 1nm 互连发热问题。IMEC 在上周的 2021 年国际互连技术会议（IITC 2021）上展示了这项实验研究。一、IMEC 发现电阻率更低的新材料IMEC 展示了基于铝的二元化合物的实验研究，重点是它们的电阻率，理想配比状态的 AlCu 和 Al2Cu 薄膜，电阻率低至 9.5μΩ*cm。这些结果在实验上支持了将 AlCu 和 Al2Cu 在先进的半镶嵌互连集成方案中...
做啦