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据日经亚洲评论报道，日本制造商正寻求在芯片和电动汽车的先进材料领域占据更大的份额，这是陷入大国竞争的关键出口部门。住友金属矿业将从本财年开始为功率控制半导体供应碳化硅芯片。与硅衬底相比，由碳化硅制成的衬底可以承受更高的电压。它们将功率损耗降低了大约 10%，从而延长了电动汽车的行驶里程，预计价格也将下降 10% 至 20%。王子控股决定提高汽车领域薄膜电容器材料的产量。Nippon Paper 和 Oji 正在积极进军电动汽车领域，以抵消对纸张需求的下滑。Nippon Paper Industr...

做啦 8 月 9 日消息根据 Digitimes 报道，半导体厂商英飞凌大中华区电源与感测系统事业部协理陈志星日前表示，该公司的 SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等新材料产品已经走入量产，未来这类功率芯片的制造从主流的 6 英寸厂转移到 8 英寸晶圆厂生产，是国际大厂共同看好的趋势。陈志星指出，SiC、GaN 相关宽能隙 (WBG) 功率元件价格已经出现很大的降幅，但成本仍是打开市场的关键。碳化硅、氮化镓两类芯片的价格差距不大，但是这这两种产品与单纯的 Si 硅产品之间成本差距确实存在，目前成...

做啦 7 月 5 日消息7 月 1 日，东莞市天域半导体科技有限公司发生工商变更，新增股东华为关联公司深圳哈勃科技投资合伙企业 (有限合伙)，同时公司注册资本由约 9027 万元人民币增至约 9770 万元人民币，增幅超 8%。企查查信息显示，该公司成立于 2009 年，法定代表人为李锡光，经营范围包含：研发、生产、销售：碳化硅外延晶片，半导体材料及器件等。据悉，东莞市天域半导体科技有限公司位于广东省东莞市松山湖高新技术产业开发园区，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅 (SiC) 外延片研发、...

硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。碳化硅是第三代半导体材料，作为宽禁带半导体材料的一种，与硅的主要差别在禁带宽度上，这让同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，能量损失减少了四分之三，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。碳化硅器件具备广阔的应用领域和市场空间，2019 年全球碳化硅功率器件市场规模为 5.41 亿美元...