业内曝三星 3nm GAA 存在漏电等关键技术问题,难与台积电匹敌
据业内人士透露,三星电子的 3nm GAA 工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题,消息人士称,该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的 3nm FinFET 工艺。据《电子时报》报道,上述人士表示,三星可能最早于 2022 年将其 3nm GAA 工艺量产,但由于成本高和性能不理想,可能无法吸引到台积电 3nm FinFET 工艺所获得的客户,后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单。台积电有望在 2022 年下半年将其 3nm FinFET 工艺推向量产,CEO 魏哲家在最近的财报会议上表示,“N3...