三星宣布 3nm 芯片成功流片：采用 GAA 架构，性能优于台积电

6 月 29 日晚间消息，据外媒报道，三星宣布，3nm 制程技术已经正式流片。据介绍，三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架构，性能优于台积电的 3nm FinFET 架构
。

报道称，三星在 3nm 制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的 3nm 制程采用不同于台积电或英特尔所采用的 FinFET 的架构，而是采用 GAA 的结构。因此，三星采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

在技术性能上，GAA 架构的晶体管能够提供比 FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

此次流片是由 Synopsys 和三星代工厂合作完成的。此前，三星曾在 2020 年完成 3nm 工艺的开发，但开发成功并不意味着，三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片，三星 3nm 芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。